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385美元!Graphenea石墨烯晶體管正式上市銷售
更新時間:2018-05-18 瀏覽數:

 石墨烯資訊 2018-05-18

導讀

國外知名石墨烯企業Graphenea日前開始對外銷售GFETs(石墨烯場效應晶體管)新產品。Graphenea提供的GFETs(石墨烯場效應晶體管)可以為氣體傳感器、生物傳感器或其他傳感器領域的科學研究提供高質量的GFET器件。

國外知名石墨烯企業Graphenea日前開始對外銷售GFETs(石墨烯場效應晶體管)新產品。該舉措進一步降低了石墨烯應用的障礙,特別是在傳感器市場。 Graphenea提供的GFETs(石墨烯場效應晶體管)可以為氣體傳感器、生物傳感器或其他傳感器領域的科學研究提供高質量的GFET器件。

Graphenea已經上市的兩種用于傳感器領域的石墨烯場效應晶體管包括兩種標準的GFET-for-sensing配置,稱為GFET-S10和GFET-S20,每種均包括位于一平方厘米芯片上36個獨立的GFET,但器件布局不同。GFET-S10的器件均勻分布在芯片上,GFET-S20則集成在芯片中心,芯片邊緣有電氣焊盤。GFET-S20器件都具有用于探測電氣特性的雙探頭幾何結構,而GFET-S10則包含30個霍爾條幾何結構的器件和6個具有雙探頭幾何結構的器件。除了石墨烯器件研究,生物電子學,生物傳感,化學傳感以及雙探頭幾何結構允許的光電探測器之外,霍爾棒還可以進行磁場傳感。


在接下來的幾個月里,Graphenea計劃推出定制設計服務,為同樣高質量的GFET提供量身定制的安排。


Graphenea的新器件具有1000cm2 / V * s以上的特定載流子遷移率,低于2×1012cm-2的殘余電荷載流子密度,10至40V的狄拉克點以及高于75%的產率。 GFET是在標準的Si /SiO2襯底上制作的,具有Ni / Al金屬觸點。


1、GFET-S20 for Sensing applications

$385.00

GFET-S20(裸片尺寸10 mm x 10 mm) - 經過1000級無塵室處理


Graphenea的GFET-S20芯片提供36個石墨烯器件,分布在四個象限中,器件位于芯片中心,探針焊盤位于芯片外圍附近。 所有設備都是雙探頭設備幾何形狀。


這些器件被安排在GFET-S20中,以允許在石墨烯器件的頂部上施加液滴而不覆蓋襯墊以在液體環境中進行測量或使用液體介質對器件進行功能化。


性能參數:

·生長方法:CVD合成

·芯片尺寸:10mm×10mm

·芯片厚度:675μm

·每個芯片的GFET數量:36

·柵氧化層厚度:90納米

·柵極氧化物材料:SiO2

·基體電阻率:1-10Ω.cm

·金屬化:鎳/140納米

·石墨烯場效應遷移率:> 1000 cm2 / V.s

·殘余電荷載體密度:<2×1012 cm-2

·Dirac點:10-40

·收率:> 75


2、GFET-S10 for Sensing applications

$385.00

GFET-S10(裸片尺寸10 mm x 10 mm) - 經過1000級無塵室處理


Graphenea公司的GFET-S10芯片在芯片上提供了36個以網格模式分布的石墨烯器件。 三十個設備具有霍爾條幾何形狀,六個具有兩個探頭幾何形狀。 霍爾棒設備可用于霍爾棒測量以及4探針和2探針設備。 有不同的石墨烯通道尺寸可以調查幾何結構對器件性能的依賴性。


性能參數:

·生長方法:CVD合成

·芯片尺寸:10mm×10mm

·芯片厚度:675μm

·每個芯片的GFET數量:36

·柵氧化層厚度:90納米

·柵極氧化物材料:SiO2

·基體電阻率:1-10Ω.cm

·金屬化:鎳/140納米

·石墨烯場效應遷移率:> 1000 cm2 / V.s

·殘余電荷載體密度:<2×1012 cm-2

·Dirac點:10-40

·收率:> 75


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資料來源:石墨烯資訊編輯整理,轉載請注明出處

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